[19p-231A-1~8] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[19p-231A-7] Ge-(Sb)-Te薄膜におけるガンマ線照射による抵抗変化のリアルタイム測定

〇(M1)朴 孝晟¹、依田 功²、川崎 繁男³、中岡 俊裕¹ (1.上智理工、2.東工大、3.宇宙研)

キーワード：ゲルマニウム・アンチモン・テルル化合物、ガンマ線、フォトドーピング

Ge-(Sb)-Te薄膜は代表的な相変化材料であり，相変化メモリなどの応用に向け活発に研究されている。γ線照射による明瞭なAgの異常拡散，及び不可逆な抵抗変化を報告の中、本研究ではRFスパッタリングにより、Ge-(Sb)-Te膜厚の上にEB蒸着によりAg/Ti/Au電極を作製した。γ線照射によるリアルタイム抵抗測定を行い，可逆，不可逆双方の成分が存在すること見出したので報告する。