[19p-231A-1~8] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[19p-231A-8] テクスチャガラス基板が電子線蒸着非晶質Si膜のFLAでの結晶化機構に与える影響

〇倉田 啓佑¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端科学技術大学院大学)

キーワード：フラッシュランプアニール、シリコン、結晶化

テクスチャ基板上に堆積したEB蒸着a-Si膜に対しFLAを行った際の結晶化機構への影響について調査を行った。ラマンスペクトルのc-Siピークの半値幅から、平坦基板上とRIEを1時間行ったガラス基板上の試料では、過去に報告した爆発的結晶化(EC)が同様に発現していることが確認された。一方、RIEを2時間以上行ったガラス上の試料では、ラマンスペクトルの半値幅から小粒径化が示唆され、ECが発現していないと考えられる。