[19p-231C-1~19] 12.1 作製・構造制御

△ [19p-231C-10] 窒素添加LaB₆界面制御層によるしきい値電圧制御を用いたペンタセンPseudo-CMOSの堆積温度依存性

〇(D)前田 康貴¹、朴 鏡恩¹、小松 勇貴¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大工学院)

キーワード：ペンタセン、窒素添加LaB6、界面制御層

前回、我々は窒素添加LaB₆界面制御層によるしきい値電圧(V_TH)制御を用いることで、ペンタセンのPseudo-CMOSが実現できることを報告した。今回、Pseudo-CMOSを構成するOFETのV_TH差を改善するために、ペンタセンの堆積温度について検討を行った。その結果、堆積温度を100^oCとすることで、V_TH差を増加させることに成功し、インバータ特性を改善した。今後、デバイスの微細化により、ゲートリークを抑制することで、更なる特性の改善が期待できる。