[19p-231C-1~19] 12.1 作製・構造制御

[19p-231C-14] ナノパターン加工されたSiO₂基板でのC8-BTBTナノワイヤの1次元成長

〇廣芝 伸哉^1,2,3、早川 竜馬¹、若山 裕¹ (1.物材機構、2.東北大多元研、3.早稲田大　先進理工)

キーワード：グラフォエピタキシ、ナノワイヤ、C8-BTBT

本研究ではグラフォエピタキシ技術に着目し、ナノパターン加工されたSiO₂基板上へ有機ナノワイヤ（NWs）を作製することを試みた。電子線リソグラフィによりSiO₂基板上へライン＆スペースパターン加工を行った。加工されたSiO₂表面のラインパターン（テラス上）に7-Dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene (C8-BTBT)のグラフォエピタキシを試みた結果、特異な一次元成長によるNWs形成を確認したので詳細について報告する。