[19p-231C-1~19] 12.1 Fabrications and Structure Controls

△ [19p-231C-6] p-type doping of polythiophene by spray deposition

〇Shin Sakiyama^1,2, Mizutani Naoki³, Fujita Katsuhiko^1,3 (1.Kyushu Univ., 2.JSPS DC, 3.Kyushu Univ. IMCE)

Keywords:Doping for organic semiconductor, Conductive polymer, Organic Electronics

高分子半導体では従来、ドーパント分子が凝集しやすく、高効率なドーピングは実現されていなかった。これまでに我々は超希薄溶液気相濃縮スプレー堆積法(ESDUS) を用いて、ドーパントの凝集を抑制することでポリフェニレンビニレン (MEH-PPV)への15％の高効率ドーピングが可能であることを実証した。本研究では、p型ドーパントと電荷移動錯体を形成しやすいpoly(3-hexylthiophene) (P3HT)とドーパントとして2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ)を用い、ESDUS法による高分子半導体への32%の高効率ドーピングを達成した。