[19p-233-1~12] 材料・プロセスが切り開く未来半導体デバイス

[19p-233-8] 酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタ

〇加藤 公彦¹、松井 裕章¹、田畑 仁¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：トンネルFET、酸化物半導体、IV族半導体

超低消費電力なスイッチング素子として着目される量子トンネル電界効果トランジスタ（TFET）の高性能化に向け、我々は酸化物半導体とIV族半導体を積層させたbilayer TFETを提案している。酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせたtype-IIエネルギーバンド構造や、接合面全域に渡るトンネル現象により、TFETの高性能化が期待できる。TCADシミュレーションによる素子の性能予測と、ZnO/SiやZnO/Geを用いた素子の動作実証について報告する。