[19p-234A-1~10] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[19p-234A-4] フッ素系EUVレジストモデル分子の放射線誘起初期過程

〇岡本 一将¹、山本 洋揮²、小林 一雄¹、古澤 孝弘¹ (1.阪大産研、2.量研機構)

キーワード：EUVレジスト、フッ素系レジスト、反応機構

レジスト材料のフッ素化は13.5 nmEUV光のエネルギー吸収を増加させるのに効果的な方法である。また、露光によるイオン化によって生成するラジカルイオン種の反応機構は、EUVリソグラフィ用レジストの放射線化学を考える上で重要である。そこで、本研究では２－ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル基を有するベンゼン誘導体のラジカルイオン種のダイナミクスについて放射線分解法により研究を行った。