[19p-234B-1~19] 6.4 Thin films and New materials

△ [19p-234B-16] Growth of SiC thin films by quasi nano-liquid assisted vapor phase epitaxy

〇(D)Naoki Sannodo¹, Asuka Osumi¹, Shingo Maruyama¹, Yuji Matsumoto¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:Pulsed Laser Deposition, semiconductor, silicon carbide

高温種基板上に結晶原料と液相成分を同時に供給することで、清浄真空環境中でのSiC薄膜液相成長を達成した。液相により低温度域で安定な3C-SiC相が支配的に成長し、多形選択性が向上した。