5:30 PM - 5:45 PM
△ [19p-234B-16] Growth of SiC thin films by quasi nano-liquid assisted vapor phase epitaxy
Keywords:Pulsed Laser Deposition, semiconductor, silicon carbide
高温種基板上に結晶原料と液相成分を同時に供給することで、清浄真空環境中でのSiC薄膜液相成長を達成した。液相により低温度域で安定な3C-SiC相が支配的に成長し、多形選択性が向上した。