17:30 〜 17:45
△ [19p-234B-16] 擬似ナノ液膜を介した気相エピタキシー法による SiC 薄膜成長
キーワード:パルスレーザー堆積、半導体、SiC
高温種基板上に結晶原料と液相成分を同時に供給することで、清浄真空環境中でのSiC薄膜液相成長を達成した。液相により低温度域で安定な3C-SiC相が支配的に成長し、多形選択性が向上した。
一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料
17:30 〜 17:45
キーワード:パルスレーザー堆積、半導体、SiC