2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » ファンデルワールス積層ヘテロデバイスの最前線

[19p-311-1~8] ファンデルワールス積層ヘテロデバイスの最前線

2018年9月19日(水) 13:30 〜 17:15 311 (カスケード)

安藤 淳(産総研)、上野 啓司(埼玉大)

14:30 〜 14:45

[19p-311-3] 熱CVDグラフェン/h-BNの移動度とラマンスペクトルの相関関係

沖川 侑揮1、山田 貴壽1、桐原 和大1、谷口 尚2、渡邊 賢治2、長谷川 雅考1 (1.産総研、2.NIMS)

キーワード:グラフェン、h-BN、移動度