[19p-432-1~8] Recent Progresses and Developments of Si Integrated Circuit Technologies with 3D Integrations

[19p-432-1] Prospect and Evolution of LSIs using Three-Dimensional Stack Process

〇Takayuki Ohba¹ (1.Tokyo Tech)

Keywords:semiconductor, three dimensional integration, wafer stack

10年以上前，三次元積層をウエハでやります，積層数には理論限界はない（これは言い過ぎだが）と説明したら，実装の世界ではあまり関心を持たれなかった．そもそもウエハ積層を始めたのは，－微細化すればチップコストが小さくなる―，そんなおいしい話は長続きしないと考えていたからである．また，ウエハ積層プロセスをまとめて前工程並みに仕上げるためには，プロセス装置や材料の開発に軽く10年以上はかかるためである．そうこうしている間に，微細化限界が秒読み入ったせいか，三次元人口が増えてウエハ積層は昔に比べて開発しやすい環境になった．本講演では，筆者らが本学WOW Allianceで開発した300mmウエハの超薄化と積層技術，積層ウエハ間にバンプを用いない垂直配線技術を中心に次世代高集積技術について紹介する．