[19p-432-1~8] Recent Progresses and Developments of Si Integrated Circuit Technologies with 3D Integrations

[19p-432-6] Direct Bonding of SiO₂/Si Wafers at Room Temperature Using Self-Sputtered Bonding Method

〇Jun Utsumi¹ (1.Mitsubishi Heavy Industries Machine Tool Co., Ltd.)

Keywords:room tempaerature bonding, SiO2, Si thin film

表面活性化法を用いた常温接合技術は、様々な材料に適用することが可能であり、熱処理不要な優位性を有するが、SiO₂やガラスなど非結晶性材料の直接接合は難しい。そこで本研究では、Siウェハと酸化膜付Siウェハの組み合わせにおいて、ArプラズマによりSiウェハ表面のみをスパッタして活性化するのと同時に、スパッタされたSiで酸化膜付ウェハ表面に薄膜形成して両ウェハを常温で接合する方法を検討した。その結果、ブレード試験による接合強度評価では母材破壊が確認された。