[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-CE-10] SiO₂/p-GaN MOSキャパシタの電気特性評価

〇山田 高寛¹、寺島 大貴¹、野崎 幹人¹、山田 永²、高橋 言諸²、清水 三聡²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研)

キーワード：p-GaN、MOS、電気特性