[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-CE-13] 大気圧熱プラズマジェット照射によるGa極性面GaNにイオン注入したMgの活性化

〇花房 宏明¹、東 清一郎¹、塩崎 宏司² (1.広大先端研、2.名大未来・システム研)

キーワード：大気圧熱プラズマジェット、P型GaN、不純物活性化

本研究ではGa極性面GaNに対してMgのイオン注入を行い大気圧熱プラズマジェット照射による不純物活性化熱処理に取り組んだ。
その結果、Ga面においても良好な整流特性を示すI-V特性の取得およびDAPに起因するCL発光を観測した。これらの結果からイオン注入したMgが活性化してP型層が形成されていると考えられる。また熱処理を繰り返し行うことでMgの活性化が促進されていると考えられる結果を得た。