[19p-CE-5~17] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-CE-15] Evaluation of Mg ion implanted GaN by photothermal deflection spectroscopy

〇Kiyotaka Fukuda^1,2, Shinya Takashima³, Takeyoshi Onuma², Tomohiro Yamaguchi², Tohru Honda², Akira Uedono⁴, Masatomo Sumiya¹ (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ., 3.Fuji Electric Co. Ltd., 4.Tsukuba Univ.)

Keywords:GaN, Mg ion implanted, Photothermal Deflection Spectroscopy

Mgイオン注入を行ったGaNを光熱偏向分光法によって評価したので報告します。さらにMOCVDで成長したMgドープGaNやPLとの相関についても議論を行います。