2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2018年9月19日(水) 15:00 〜 18:45 CE (センチュリーホール)

加藤 正史(名工大)、佐藤 威友(北大)

18:30 〜 18:45

[19p-CE-17] 高温でMgイオン注入されたGaNの特性評価

高橋 昌大1、田中 敦之2,3、宇佐美 茂佳1、安藤 悠人1、出来 真斗2、久志本 真希1、新田 州吾2、本田 善央2、天野 浩2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.物質・材料研究機構、4.名大赤﨑記念研究センター、5.名大VBL)

キーワード:イオン注入