[19p-CE-1~4] 日韓ジョイントシンポ：ワイドバンドギャップ半導体デバイス

▲ [19p-CE-2] Crystal plane dependence of interface states density in c- and m-plane GaN MOS capacitors

〇Manato Deki¹、Yuto Ando²、Hirotaka Watanabe¹、Atsushi Tanaka^1,3、Maki Kushimoto²、Shugo Nitta¹、Yoshio Honda¹、Hiroshi Amano^1,4,5 (1.IMaSS Nagoya Univ.、2.Nagoya Univ.、3.NIMS、4.ARC、5.Nagoya Univ. VBL)

キーワード：GaN, MOS devices, Interface state density