2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2018年9月19日(水) 15:00 〜 18:45 CE (センチュリーホール)

加藤 正史(名工大)、佐藤 威友(北大)

15:00 〜 15:30

[19p-CE-5] [優秀論文賞受賞記念講演] Hydride-vapor-phase epitaxial growth of highly pure GaN layers with smooth as-grown surfaces on freestanding GaN substrates

藤倉 序章1、今野 泰一郎1、吉田 丈洋1、堀切 文正1 (1.サイオクス)

キーワード:優秀論文賞