[19p-CE-5~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-CE-6] 新しい光誘起容量電圧法による絶縁膜/ワイドバンドギャップ半導体界面深い準位の検出

〇平岩 篤^1,4、大久保 智²、堀川 清貴²、川原田 洋^2,3 (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.早大材研、4.名大未来研)

キーワード：ワイドバンドギャップ、深い準位、容量電圧測定

ワイドバンドギャップ半導体と絶縁膜界面の深い準位は、通常の容量電圧測定により検出することが困難であり光照射を併用する必要がある。しかし、従来法では正確な測定が困難であった。今回、測定原理を根本的に見直し光照射条件および容量電圧測定の電圧掃引範囲を適正化することにより、深い準位を正確に評価することを可能にした。Terman法により測定可能な浅い準位に関する限り、本研究の結果はTerman法の結果とほぼ一致した。