[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-PA4-12] Study of double-polar GaN-MOVPE with narrow pitch pattern by V/III ratio control

〇Kai Matsuhisa¹, Hirotaka Yagi¹, Yoku Inoue¹, Takayuki Nakano¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:MOVPE, SHG, GaN

GaN結晶はGa極性面とN極性面を有していることから、各極性を周期的に配列させることで擬似位相整合結晶を作製可能であり、第二高調波発生デバイスとして期待されている。そこで我々は両極性GaN作製において、カーボンマスクを用いた両極性同時成長法を提案し、開発を行っている。本研究では4 µmピッチ両極性GaNをV/III比を変化させ、観察を行った。