[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-12] V/III比制御による狭ピッチパターン両極性GaN-MOVPE法の検討

〇松久 快生¹、八木 裕隆¹、井上 翼¹、中野 貴之¹ (1.静大院工)

キーワード：MOVPE、SHG、GaN

GaN結晶はGa極性面とN極性面を有していることから、各極性を周期的に配列させることで擬似位相整合結晶を作製可能であり、第二高調波発生デバイスとして期待されている。そこで我々は両極性GaN作製において、カーボンマスクを用いた両極性同時成長法を提案し、開発を行っている。本研究では4 µmピッチ両極性GaNをV/III比を変化させ、観察を行った。