[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-PA4-16] Growth of single-crystalline GaN layer by UHV sputter-epitaxy method (２)

〇Masaki Iwamoto¹, Takuya Osada¹, A-i Mizuno¹, Ki Ando¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:Gallium nitride, sputter

我々は，超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN層の成長において，その成長条件と得られる結晶品質の関係について検討を行っている．前回は，反応ガスに用いたN₂ガスとArガスの混合比について検討を行い，その精密な制御が重要であることを報告した．そこで今回は，ガス混合比と得られる結晶品質の関係について更に詳細な検討を行ったので，その結果について報告する．