[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-16] UHVスパッタエピタキシー法によるGaN単結晶層の成長(２)

〇岩元 正紀¹、長田 拓也¹、水野 愛¹、安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：窒化ガリウム、スパッタ

我々は，超高真空高周波マグネトロンスパッタリング法によるGaN層の成長において，その成長条件と得られる結晶品質の関係について検討を行っている．前回は，反応ガスに用いたN₂ガスとArガスの混合比について検討を行い，その精密な制御が重要であることを報告した．そこで今回は，ガス混合比と得られる結晶品質の関係について更に詳細な検討を行ったので，その結果について報告する．