[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-17] UHVスパッタエピタキシー法によるGaN単結晶層の成長（３）

〇長田 拓也¹、岩元 正紀¹、水野 愛¹、安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：窒化ガリウム、スパッタ

我々は，超高真空(UHV)高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，GaN層のエピタキシャル成長を行っている．これまで，反応ガスに混合ガスを用いた場合，その混合比の僅かな違いが表面形態や結晶性に大きく影響することが解った．今回は，N₂/Arガスの混合比を考慮してGaN層の成長を行い，その成長時間依存性について検討を行ったので，その結果について報告する．