2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年9月19日(水) 13:30 〜 15:30 PA (イベントホール)

13:30 〜 15:30

[19p-PA4-25] 規則配列化InNドットの作製に向けた立方晶GaN表面ステップ構造の成長条件依存性

〇大倉 一将1、高宮 健吾1、八木 修平1、矢口 裕之1 (1.埼玉大院理工)

キーワード：InNドット配列