[19p-PA4-1~27] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-PA4-9] GaN(0001)面におけるステップの安定性に関する理論的研究

〇相可 拓巳¹、秋山 亨¹、アブドゥルムィッツ プラディプト¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体、第一原理計算、ステップフロー成長