[19p-PA5-1~14] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[19p-PA5-13] Thickness dependence of the passivation quality of Cat-CVD SiN_x films

〇Yuli Wen¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:passivation, Cat-CVD, SiNx films

触媒化学気相堆積(Cat-CVD)形成される窒化Si(SiN_x)膜の結晶Si表面のパッシベーション性能について, 広い膜厚範囲における膜厚依存性を調査した．ポストアニール後の試料について，SiN_xの膜厚が<100 nmの場合には，膜厚の増大に伴い実効少数キャリア寿命(τ_eff)が単調に増大する傾向が確認され，τ_effは3-4 msに達した．一方膜厚≥100 nm以上の場合，パッシベーション性能は膜厚に依存せず飽和することを明らかにした．