16:00 〜 18:00
[19p-PA7-15] [(GeTe)2(Sb2Te3)1]n超格子を用いたハイブリッドプラズモニック変調素子
キーワード:プラズモニクス、GST超格子
本研究では,Si3N4/ITO/Auからなるハイブリッド型表面プラズモン導波路内に,[(GeTe)2/(Sb2Te3)1]n超格子(GST超格子)が埋包された構造の変調デバイスの設計をおこなった.ITOを電極としてGST超格子に電圧パルスを印加することで相転移を誘起し,2種類の結晶相間の光学特性のコントラストにより導波モードを変調する.電磁場シミュレーションから,最大で14.7 dBの出力比が得られると予想される.当日は,デバイスの作製と評価についても報告する.