[19p-PB1-1~37] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-PB1-22] 分子膜ギャップ型原子スイッチのコンダクタンス保持率の研究

〇鈴木 彩菜¹、鶴岡 徹²、長谷川 剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

キーワード：抵抗変化メモリ