[19p-PB1-1~37] 6.3 Oxide electronics

△ [19p-PB1-28] Study on Artificial synaptic device using resistance change memory with Hf Oxide film

〇(M2)Atsushi Azuma¹, Ryo Nakajima¹, Tomohiro Shimizu¹, Takeshi Ito¹, Shoso Shingubara¹ (1.Kansai Univ.)

Keywords:ReRAM, Hf Oxide

抵抗変化メモリ(ReRAM)は金属酸化物を金属電極で挟み込んだ積層構造で構成されており,低消費電力,高速動作,微細化に優れた不揮発性メモリである.金属酸化物としてHfO₂を用いたReRAMは比較的安定なスイッチング特性を示している.近年はニューロモルフィック素子の開発が急速に進展しており,シナプス素子としてReRAMやPCRAMの応用が検討されている.そこで我々はHfO₂を用いたReRAM素子のシナプス素子応用を検討することとした.