[19p-PB3-1~14] 6.6 Probe Microscopy

[19p-PB3-6] Two probe conductance measurement of monolayer/bilayer WSe₂ by using Multi-probe STM

〇Hiroyuki Mogi¹, Ibuki Kuroda¹, Yuhei Takaguchi², Shoji Yoshida¹, Yasumitsu Miyata², Osamu Takeuchi¹, Hidemi Shigekawa¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.Tokyo Metro. Univ.)

Keywords:Multi-probe STM, TMDCs, MOSFET

近年、原子層状物質である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDCs)が注目されている。本研究では、多探針STM装置を用いてSiO₂/Si基板上にCVD成長した単層～複数層WSe₂の電気伝導特性を測定した。接触探針として2本の接触AFM用の導電性カンチレバー(PtIr₅ coated)を使用しWSe₂アイランド(~50µm)へソフトに接触させ、一方のカンチレバー位置を走査することで電気伝導特性の電極位置依存性を測定できる。その結果、ドレイン電極位置が単層上より2層上の方が低いゲート電圧でドレイン電流が流れ始めることが明らかになった。この手法により作成条件や基板に左右されやすいTMDCs系材料の電気伝導特性の層数依存性を明らかにでき、デバイスの特性制御に向けて有効な知見が得られるものとなる。