[19p-PB7-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[19p-PB7-2] Si(110)上に形成されたSiGeの格子歪みの熱的安定性

〇(M1)大島 佑介¹、山田 崇峰¹、有元 圭介¹、山中 淳二¹、原 康祐¹、中川 清和¹ (1.山梨大)

キーワード：半導体、歪みSi

正孔移動度はSi(110)基板上に歪み緩和SiGeバッファ層を形成し、その上に伸長歪みSi層を形成することで増大することが知られている。デバイス作製プロセス中の高温熱処理はSiGeバッファ層からSi層へのGeの拡散、Si層の歪み緩和、結晶欠陥密度の増大などの問題を発生させることが(001)基板上の歪みSiに関して報告されている。そこで本研究では、Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の格子歪みの熱的安定性について調べた。