[19p-PB7-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[19p-PB7-3] 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のゲート電圧印加Hall測定による移動度評価

〇(M1)浪内 大地¹、佐藤 圭¹、澤野 憲太郎²、有元 圭介¹、山中 淳二¹、原 康祐¹、中川 清和¹ (1.山梨大、2.東京都市大総研)

キーワード：半導体、歪みシリコン、pMOSFET

CMOSデバイスの高性能化、低消費電力化を実現するために、正孔移動度を向上させる必要がある。(110)面を表面に有する伸張歪みSiは正孔有効質量を無歪みSiの半分以下にできるという計算結果がある。本研究では、ゲート電極付きHall Barを用いてゲート電圧印加下においてHall測定を行い、正孔移動度の評価を試みた。Hall測定ではCV測定を用いず、四端針法による測定であるため、寄生容量やコンタクト抵抗の影響を受けずに評価できる利点がある。