2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

2018年9月19日(水) 16:00 〜 18:00 PB (白鳥ホール)

16:00 〜 18:00

[19p-PB8-11] 岩塩型Ni1-XFeXO薄膜の室温エピタキシャル成長と特性評価

池谷 侑紀1、土嶺 信男2、金子 智3,1、Seo Okkyun4、坂田 修身4,1、松田 晃史1、吉本 護1 (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技総研、4.物材機構)

キーワード:エピタキシャル薄膜、室温合成、酸化ニッケル

本研究では、室温合成したNi1-XFeXOエピタキシャル薄膜(X = 0.3 , 0.4 , 0.5 , 0.6 , 0.7)に関して、Feの含有量が構造や物性に与える影響について検討した。当日は、室温作製したサンプルを大気中や真空中の熱処理によるFeの状態変化や、構造、物性に与える影響についても発表する。