[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-16] ミストCVD法による3C-SiC (111)テンプレート基板へのε-Ga₂O₃ヘテロエピタキシャル成長

〇金子 豊和¹、藤原 壮大¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.大阪工大ナノ材研)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD

Ga₂O₃は約5.0 eVのワイドバンドギャップを持つ半導体材料としてパワーデバイスや深紫外光デバイスへの応用に向けて研究が盛んに行われている．Ga₂O₃の準安定構造の一つであるε-Ga₂O₃は自発分極を持つことが報告されており，強誘電体薄膜や分極に起因する二次元電子ガスを用いたデバイスへの応用が期待されている．本発表では，ミストCVDを用いて (111) 3C-SiC/Siテンプレート上基板へε-Ga₂O₃薄膜をヘテロエピタキシャル成長した結果について報告する．