[19p-PB8-1~23] 21 Joint Session K (Poster)

[19p-PB8-16] Heteroepitaxial growth of ε-Ga₂O₃ thin films on (111) 3C-SiC templates by mist chemical vapor deposition

〇Toyokazu Kaneko¹, Sodai Fujiwara¹, Masatoshi Koyama¹, Toshihiko Maemoto¹, Shigehiko Sasa¹ (1.Osaka Inst. of Tech.)

Keywords:Ga2O3, Mist CVD

Ga₂O₃は約5.0 eVのワイドバンドギャップを持つ半導体材料としてパワーデバイスや深紫外光デバイスへの応用に向けて研究が盛んに行われている．Ga₂O₃の準安定構造の一つであるε-Ga₂O₃は自発分極を持つことが報告されており，強誘電体薄膜や分極に起因する二次元電子ガスを用いたデバイスへの応用が期待されている．本発表では，ミストCVDを用いて (111) 3C-SiC/Siテンプレート上基板へε-Ga₂O₃薄膜をヘテロエピタキシャル成長した結果について報告する．