2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

2018年9月19日(水) 16:00 〜 18:00 PB (白鳥ホール)

16:00 〜 18:00

[19p-PB8-16] ミストCVD法による3C-SiC (111)テンプレート基板へのε-Ga2O3ヘテロエピタキシャル成長

金子 豊和1、藤原 壮大1、小山 政俊1、前元 利彦1、佐々 誠彦1 (1.大阪工大ナノ材研)

キーワード:酸化ガリウム、ミストCVD

Ga2O3は約5.0 eVのワイドバンドギャップを持つ半導体材料としてパワーデバイスや深紫外光デバイスへの応用に向けて研究が盛んに行われている.Ga2O3の準安定構造の一つであるε-Ga2O3は自発分極を持つことが報告されており,強誘電体薄膜や分極に起因する二次元電子ガスを用いたデバイスへの応用が期待されている.本発表では,ミストCVDを用いて (111) 3C-SiC/Siテンプレート上基板へε-Ga2O3薄膜をヘテロエピタキシャル成長した結果について報告する.