[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-17] 分子線エピタキシー法によるr面サファイア上の非極性a面ZnO:N薄膜のp型伝導制御 (II)

〇前川 直樹¹、中山 景虎¹、山根 亘暁¹、阿部 友紀¹、笠田 洋文¹、安東 孝止¹、市野 邦男¹、赤岩 和明¹ (1.鳥取大工)

キーワード：酸化亜鉛、p型伝導制御、分子線エピタキシー (MBE)

我々は，ZnOへのアクセプタドーピングを阻害するピエゾ電界を排除するためにr面サファイア基板上に分子線エピタキシー法により非極性a面ZnO:Nを成長し，ポストアニールによりp型伝導制御を実現したので報告する．