[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-21] α-Al₂O₃/Ga₂O₃ヘテロ接合のバントアライメント評価

〇加藤 勇次¹、小林 英一²、高橋 和敏³、大島 孝仁¹ (1.佐賀大学、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター)

キーワード：酸化ガリウム、超格子

全率固溶可能であるα-(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶系は，バンドギャップ制御範囲が広く，ヘテロ接合を利用した量子エレクトロニクス応用が期待される．そのためα-Ga₂O₃/(Al_xGa_1-x)₂O₃におけるバンドアライメントが評価されている．さらに我々はコヒーレントな超格子を作製したため，本発表ではα-Al₂O₃/Ga₂O₃ヘテロ接合のバンドアライメントを評価したので報告する．