[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-22] イオンプレーティングGZO薄膜をバッファ層に用いたZnO薄膜の
大気圧CVD成長

〇寺迫 智昭¹、越智 洋平²、宮田 晃²、矢木 正和³、野本 淳一⁴、山本 哲也⁴ (1.愛媛大院理工、2.愛媛大工、3.香川高専、4.高知工科大総研)

キーワード：酸化亜鉛、バッファ層、化学気相堆積法