[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-3] ZnOナノ粒子層伝導特性の向上 ～Gaドープの試み～

〇吉田 俊幸¹、Islam Md Maruful²、藤田 恭久¹ (1.島根大自然、2.島根大総理工)

キーワード：ZnO、粒子層、Gaドープ

本研究は，スプレー法によるZnOナノ粒子層の形成と，薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル層への応用を目指すものである。これまでn-チャネルだけでなくp-チャネルTFTの動作も実証してきたが，粒子層の抵抗が極めて高い（MΩ/sq～GΩ/sq台）という問題があった。今回，ZnO粒子をGa₂O₃粒子と一緒に熱処理することで，粒子層の抵抗の劇的な低減化に成功し，最小で225Ω/sqを得たので報告する。