[19p-PB8-1~23] 21 Joint Session K (Poster)

[19p-PB8-5] Dependence of Memristor Characteristic on Electrode Size of Ga-Sn-O Thin Film

〇Sumio Sugisaki¹, Ayata Kurasaki¹, Ryo Tanaka¹, Tokiyoshi Matsuda¹, Mutsumi Kimura¹ (1.Ryukoku Univ.)

Keywords:amorphous oxide semiconductor, ReRAM

我々はアモルファス酸化物半導体としてレアメタルを含ず、トランジスタ動作が確認されているGa-Sn-O(GTO)の研究を行っている。本研究ではフレキシブルデバイスへの応用を見据えてフレキシブル基板での抵抗変化型メモリの作製を行った。また、メモリ特性の電極サイズ依存性についても評価を行った。