[19p-PB8-1~23] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-PB8-5] Ga-Sn-O薄膜のメモリスタ特性の電極サイズ依存性

〇杉崎 澄生¹、倉崎 彩太¹、田中 遼¹、松田 時宜¹、木村 睦¹ (1.龍谷大学　理工)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、抵抗変化型メモリ

我々はアモルファス酸化物半導体としてレアメタルを含ず、トランジスタ動作が確認されているGa-Sn-O(GTO)の研究を行っている。本研究ではフレキシブルデバイスへの応用を見据えてフレキシブル基板での抵抗変化型メモリの作製を行った。また、メモリ特性の電極サイズ依存性についても評価を行った。