[20a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-141-12] 4H-SiC nMOSFETs における表面CF₄エッチングの効果

〇小早川 貴一¹、村岡 幸輔¹、瀬崎 洋^1,2、石川 誠治^1,2、前田 知徳^1,2、黒木 伸一郎¹ (1.広大ナノデバ、2.フェニテック株式会社)

キーワード：シリコンカーバイド、ドライエッチング、熱酸化