[20a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-141-8] 4H-SiC(0001)/SiO₂界面の炭素ダングリングボンド欠陥(P_bCセンター)

〇梅田 享英¹、神成田 亘平¹、奥田 貴史²、木本 恒暢²、染谷 満³、原田 信介³ (1.筑波大数物、2.京大、3.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、MOS界面欠陥、電子スピン共鳴

4H-SiC(0001)面（通称Si面）を熱酸化すると2～4×10¹² cm^-2の「界面炭素欠陥」が発生することが私達の最近の電子スピン共鳴分光（ESR）観察で明らかになっている。この界面欠陥は電子トラップとして働き、可動キャリアを減らす。このような可動キャリアの減少がSi面MOSFETにおける移動度劣化と結びついていると考えられる。今回は、この界面欠陥がP_bCセンター（界面炭素ダングリングボンド）か、それによく似た欠陥であることを報告する。