2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[20a-224A-1~10] 3.7 レーザープロセシング

2018年9月20日(木) 09:00 〜 11:45 224A (224-1)

坂倉 政明(サウサンプトン大)、谷 峻太郎(東大)

09:45 〜 10:00

[20a-224A-4] レーザステルスダイシングによリ生じたSi結晶欠陥のTEM解析

岩田 博之1、坂 公恭2、河口 大祐2 (1.愛知工業大、2.浜松ホトニクス)

キーワード:レーザダイシング、結晶欠陥、ステルスダイシング

ステルスダイシング(SD)法により形成した改質層を数µm厚さのTEM試料内に収め,その結晶構造の解明を試みた.TEM(加速電圧200~1000kV)観察は,非干渉性像を長いフォーカス深度で得ることができる明視野走査透過モード(BF-STEM)を利用した.
集光領域の特徴的なボイド, Siの高圧相が付着したボイド, グライドセット転位の集合体そしてクラックからなるレーザ誘起損傷領域について詳細に解析を行った.またin-situ加熱TEM観察による性状の変化についても言及する.