[20a-231A-1~10] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

△ [20a-231A-2] Abundance of Oxygen Vacancies in UV-Irradiated and Annealed IGZO Films

〇(M2)Yuki Takamori^1,3, Takaaki Morimoto^1,3, Nobuko Fukuda³, Yoshimichi Ohki^1,2 (1.SASE of Waseda Univ., 2.RIMST of Waseda Univ., 3.FLEC of AIST)

Keywords:solution process, XPS, photoluminescence

XPS測定によると，250，300℃焼成IGZO薄膜中の酸素空孔は，7.21eVの紫外光を照射すると増加し，250℃で熱処理すると減少するが，350℃焼成IGZO薄膜中の酸素空孔は，紫外光を照射してもほとんど増加しない。フォトルミネセンス(PL)を測定すると，2.2eV付近をピークとするPLの強度の変化の傾向が酸素空孔量の変化と同様であると判明した。PL測定も酸素空孔量の評価に有用であると言える。