The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Oral presentation

21 Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20a-234A-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Thu. Sep 20, 2018 9:00 AM - 12:00 PM 234A (234-1)

Takashi Yasuda(Ishinomaki Senshu Univ.)

11:30 AM - 11:45 AM

[20a-234A-10] Fabrication of rock-salt structured MgZnO/MgO layered structures showing DUV emissions

Kyohei Ishii1, Mizuki Ono2, Takeyoshi Onuma2, Kentaro Kaneko1, Shizuo Fujita1 (1.Kyoto Univ., 2.Kogakuin Univ.)

Keywords:DUV light emission, MgZnO, layered structure

ミストCVD法を用いてMgZnO/MgO積層構造を作製した。成長温度750℃においてステップフロー成長による非常に高い平坦性をもつ積層構造を作製することに成功した。本発表ではさらに詳細な構造評価と深紫外発光特性について報告する予定である。