2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-234A-1~11] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2018年9月20日(木) 09:00 〜 12:00 234A (234-1)

安田 隆(石巻専修大)

09:30 〜 09:45

[20a-234A-3] ミストCVD法で作製されたATO薄膜の電気的および光学的特性

〇(M1)上田 真理子1、刘 丽1、佐藤 翔太1、ダン ジャン2、川原村 敏幸1,2、藤田 静雄3、織田 容征4、平松 孝浩4 (1.高知工大院知能機械シス工、2.高知工大院総研、3.京大、4.東芝三菱電機産業システム)

キーワード:ミストCVD、透明導電性酸化物、アンチモン添加酸化スズ